邹世昌
发表时间:2014-05-19 阅读次数:2493次
邹世昌:
  中心专家委员会成员
  中国科学院院士。曾参加直空阀门甲种分离膜的研制,并担任工艺组负责人,该成果1984 年获国家发明奖一等奖。在国内较早开展了离子束材料改性与离子束分析的研究工作。在中国最早将离子注入应用于半导体集成电路,首先建立了离子背散射沟道技术,并应用于半导体材料及器件。研究离子注入硅单晶的激光退火行为,离子注入多晶硅的激光再结晶,并研制成高CMOS 器件。

 

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